NAND Flash/Pakage-TSOP,LGA,FBGA

반도체 인강 정리 6

 

NAND Flash

 

NAND Flash

소비전력이 작고 전원이 끊겨도 저장된 데이터가 지워지지 않는 비휘발성 저장장치

데이터의 입/출력 또한 자유로움

 

 

NAND	DRAM
데이터를 잃어버리지않음 계속 전원을 공급해줄 필요가 없음 Floating gate에 정보를 저장함 커패시터를 사용하여 전자를 저장하지 않음 Floating gate는 회로구조가 간단해 작은공간에 많은 데이터를 저장할수 있음	기억력이 짧음 계속 리프레시동작을 통해 데이터를 재생시켜줘야함 구조적으로 커패시터를 사용하여 전자를 저장함 커패시터는 큰 부피로 인해 집적도를 높이기 어려움

NAND 와 NOR

 

NAND는 직렬로 연결되어 있어 데이터를 읽을때 순차적으로 읽음=수직으로 연결하여 좁은 면적에도 많은 셀을 만들수 있어 대용량의 데이터 저장이 가능

 

NOR은 병렬로 연결되어 있어 데이터를 찾는속도가 NAND보다 빠르지만 회로가 복잡하고 차지하는 공간이 넓어 집적도가 낮고 많은 전류가 필요

 

Pakage-TSOP,LGA,FBGA

 

반도체 패키지의 역할

-패키지 내에서 반도체 소자에 전원을 공급=입출력 신호 전류들의 통로를 만들어 주는것

-열발산을 통해 온도 제어

-반도체 소자를 물리/화학적으로 보호

 

리드:반도체 패키지와 시스템을 전기적/기계적으로 연결해주는 핀 역할(현재는 일부만 사용)

 

 TSOP:리드들이 붙어있는 리드 프레임을 이용하여 얇게 제작한 패키지(공정가격이 매우 저렴,시스템연결간편,속도/전기적특성이 좋지않아 NAND  일부 반도체 소자에만 사용)

 

FBGA:Substrate라는 얇은 PCB 기판으로 만든 패키지에 Solder Ball을 접합한 형태

(TSOP에 비해 칩과 입/출력 부분에 전기적 배선이 짧음,더 많은 연결핀을 만들수있어 더 빠른 속도의 소자 구현이 가능,열 전기적 특성이 뛰어남,보편적으로 사용)

 

LGA:Solder Ball 없이 밑바닥만 있는 PAD형태로 만들어진 패키지